เซ็นเซอร์ความดันเครื่องยนต์ 2CP3-68 1946725 สำหรับรถขุด Carter

วิธีเตรียมเซ็นเซอร์วัดแรงดันมีลักษณะเฉพาะประกอบด้วยขั้นตอนต่อไปนี้

S1 ให้เวเฟอร์ที่มีพื้นผิวด้านหลังและพื้นผิวด้านหน้าสร้างแถบพายโซรีซิสทีฟและพื้นที่สัมผัสที่มีการเจือปนอย่างหนักบนพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นเวเฟอร์สร้างโพรงลึกด้วยแรงกดโดยการกัดพื้นผิวด้านหลังของแผ่นเวเฟอร์

S2 เชื่อมแผ่นรองรับที่ด้านหลังของแผ่นเวเฟอร์

S3 การผลิตรูตะกั่วและลวดโลหะที่ด้านหน้าของแผ่นเวเฟอร์ และการเชื่อมต่อแถบพายโซรีซิสทีฟเพื่อสร้างสะพานวีตสโตน

S4 สะสมและสร้างชั้นฟิล์มบนพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นเวเฟอร์ และส่วนเปิดของชั้นฟิล์มเพื่อสร้างพื้นที่แผ่นโลหะ2. วิธีการผลิตเซ็นเซอร์ความดันตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ S1 ประกอบด้วยขั้นตอนต่อไปนี้โดยเฉพาะ: S11: จัดเตรียมแผ่นเวเฟอร์ที่มีพื้นผิวด้านหลังและพื้นผิวด้านหน้า และกำหนดความหนาของฟิล์มที่ไวต่อแรงกดบนเวเฟอร์S12: การฝังไอออนจะใช้บนพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นเวเฟอร์ แถบพายโซรีซิสทีฟผลิตโดยกระบวนการแพร่ที่อุณหภูมิสูง และบริเวณที่สัมผัสถูกเจือด้วยสารเจือปนอย่างหนักS13: การสะสมและสร้างชั้นป้องกันบนพื้นผิวด้านหน้าของแผ่นเวเฟอร์S14: การแกะสลักและสร้างช่องลึกที่มีแรงกดที่ด้านหลังของแผ่นเวเฟอร์เพื่อสร้างฟิล์มที่ไวต่อแรงกด3. วิธีการผลิตเซ็นเซอร์ความดันตามข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่แผ่นเวเฟอร์คือ SOI

ในปี 1962 ทัฟเต้ และคณะผลิตเซ็นเซอร์แรงดันเพียโซรีซิสทีฟที่มีแถบซิลิกอนเพียโซรีซิสทีฟแบบกระจายและโครงสร้างฟิล์มซิลิกอนเป็นครั้งแรก และเริ่มการวิจัยเกี่ยวกับเซ็นเซอร์แรงดันเพียโซรีซิสทีฟในช่วงปลายทศวรรษ 1960 และต้นทศวรรษ 1970 การปรากฏตัวของเทคโนโลยีสามชนิด ได้แก่ เทคโนโลยีการแกะสลักแบบซิลิคอนแอนไอโซทรอปิก เทคโนโลยีการฝังไอออน และเทคโนโลยีการเชื่อมขั้วบวก ทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่กับเซ็นเซอร์ความดัน ซึ่งมีบทบาทสำคัญในการปรับปรุงประสิทธิภาพของเซ็นเซอร์ความดัน .ตั้งแต่ปี 1980 ด้วยการพัฒนาเพิ่มเติมของเทคโนโลยีไมโครแมชชีนนิ่ง เช่น การแกะสลักแบบแอนไอโซทรอปิก การพิมพ์หิน การเติมสารกระจาย การฝังไอออน การเชื่อมและการเคลือบ ขนาดของเซ็นเซอร์ความดันลดลงอย่างต่อเนื่อง ความไวได้รับการปรับปรุง และเอาต์พุตสูงและ ประสิทธิภาพการทำงานเป็นเลิศในเวลาเดียวกัน การพัฒนาและการประยุกต์ใช้เทคโนโลยีไมโครแมชชีนนิ่งใหม่ทำให้ความหนาของฟิล์มของเซ็นเซอร์ความดันควบคุมได้อย่างแม่นยำ