เซ็นเซอร์ความดันเซมิคอนดักเตอร์สามารถแบ่งออกเป็นสองประเภท ประเภทหนึ่งขึ้นอยู่กับหลักการที่ว่าคุณลักษณะ I-υ ของจุดเชื่อมต่อ PN ของเซมิคอนดักเตอร์ (หรือจุดเชื่อมต่อสกอตกี) เปลี่ยนแปลงภายใต้ความเครียดประสิทธิภาพขององค์ประกอบที่ไวต่อแรงกดนี้ไม่เสถียรมากและยังไม่ได้รับการพัฒนาอย่างมากอีกอันคือเซ็นเซอร์ที่ใช้เอฟเฟกต์พายโซรีซิสทีฟของเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งเป็นเซ็นเซอร์ความดันเซมิคอนดักเตอร์ที่หลากหลายในสมัยแรกๆ สเตรนเกจของเซมิคอนดักเตอร์ส่วนใหญ่จะติดอยู่กับองค์ประกอบยืดหยุ่นเพื่อผลิตเครื่องมือวัดความเค้นและความเครียดต่างๆในทศวรรษ 1960 ด้วยการพัฒนาเทคโนโลยีวงจรรวมเซมิคอนดักเตอร์ เซ็นเซอร์ความดันเซมิคอนดักเตอร์ที่มีตัวต้านทานการแพร่กระจายเป็นองค์ประกอบพายโซรีซิสทีฟปรากฏขึ้นเซ็นเซอร์ความดันชนิดนี้มีโครงสร้างที่เรียบง่ายและเชื่อถือได้ ไม่มีชิ้นส่วนที่เคลื่อนไหวสัมพันธ์กัน และมีองค์ประกอบที่ไวต่อแรงกดและองค์ประกอบยืดหยุ่นของเซ็นเซอร์รวมอยู่ด้วย ซึ่งหลีกเลี่ยงความล่าช้าทางกลและการคืบคลานและปรับปรุงประสิทธิภาพของเซ็นเซอร์

ผลกระทบแบบพายโซรีซิสต์ของเซมิคอนดักเตอร์ เซมิคอนดักเตอร์มีลักษณะเฉพาะที่เกี่ยวข้องกับแรงภายนอก นั่นคือ ความต้านทาน (แสดงด้วยสัญลักษณ์ ρ) จะเปลี่ยนไปตามความเค้นที่มันแบกรับ ซึ่งเรียกว่า ผลกระทบแบบพายโซรีซิสทีฟการเปลี่ยนแปลงสัมพัทธ์ของความต้านทานภายใต้การกระทำของความเค้นต่อหน่วยเรียกว่าสัมประสิทธิ์ไพโซรีซิสทีฟ ซึ่งแสดงด้วยสัญลักษณ์ πแสดงทางคณิตศาสตร์เป็น ρ/ρ = π σ

โดยที่ σ แสดงถึงความเครียดการเปลี่ยนแปลงของค่าความต้านทาน (R/R) ที่เกิดจากความต้านทานของเซมิคอนดักเตอร์ภายใต้ความเค้นนั้นถูกกำหนดโดยการเปลี่ยนแปลงของความต้านทานเป็นหลัก ดังนั้น การแสดงออกของเอฟเฟกต์พายโซรีซิสทีฟจึงสามารถเขียนเป็น R/R=πσ ได้เช่นกัน

ภายใต้การกระทำของแรงภายนอก ความเค้น (σ) และความเครียด (ε) บางอย่างถูกสร้างขึ้นในผลึกเซมิคอนดักเตอร์ และความสัมพันธ์ระหว่างสิ่งเหล่านั้นถูกกำหนดโดยโมดูลัสของยัง (Y) ของวัสดุ นั่นคือ Y=σ/ε

หากเอฟเฟกต์พีโซรีซิสทีฟแสดงออกมาโดยความเครียดบนเซมิคอนดักเตอร์ ก็จะเป็น R/R=Gε

G เรียกว่าปัจจัยความไวของเซ็นเซอร์ความดัน ซึ่งแสดงถึงการเปลี่ยนแปลงสัมพัทธ์ของค่าความต้านทานภายใต้ความเครียดของหน่วย

ค่าสัมประสิทธิ์พายโซรีซิสทีฟหรือปัจจัยความไวเป็นพารามิเตอร์ทางกายภาพพื้นฐานของเอฟเฟกต์พายโซรีซิสตีฟของเซมิคอนดักเตอร์ความสัมพันธ์ระหว่างสิ่งเหล่านั้น เช่นเดียวกับความสัมพันธ์ระหว่างความเค้นและความเครียด ถูกกำหนดโดยโมดูลัสของยังของวัสดุ นั่นคือ g = π y

เนื่องจากแอนไอโซโทรปีของผลึกเซมิคอนดักเตอร์ในความยืดหยุ่น โมดูลัสของ Young และค่าสัมประสิทธิ์พายโซรีซิสทีฟจึงเปลี่ยนไปตามการวางแนวของคริสตัลขนาดของเอฟเฟกต์ Piezoresistive ของเซมิคอนดักเตอร์ก็มีความสัมพันธ์อย่างใกล้ชิดกับความต้านทานของเซมิคอนดักเตอร์ยิ่งค่าความต้านทานต่ำ ค่าความไวก็จะยิ่งน้อยลงผลพีโซรีซิสทีฟของความต้านทานการแพร่กระจายถูกกำหนดโดยการวางแนวของคริสตัลและความเข้มข้นของสารเจือปนของความต้านทานการแพร่กระจายความเข้มข้นของสิ่งเจือปนส่วนใหญ่หมายถึงความเข้มข้นของสิ่งเจือปนที่พื้นผิวของชั้นการแพร่กระจาย