เซ็นเซอร์ความดันเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันทั่วไปใช้เวเฟอร์ซิลิคอนชนิด N เป็นสารตั้งต้น ประการแรก เวเฟอร์ซิลิคอนถูกทำให้เป็นชิ้นส่วนที่รับความเค้นยืดหยุ่นและมีรูปทรงที่แน่นอน ที่ส่วนที่รับความเค้นของเวเฟอร์ซิลิคอน ตัวต้านทานการแพร่กระจายชนิด P สี่ตัวถูกสร้างขึ้นตามทิศทางของคริสตัลที่แตกต่างกัน จากนั้นสะพานวีทสโตนแบบสี่แขนจะถูกสร้างขึ้นด้วยตัวต้านทานสี่ตัวนี้ ภายใต้การกระทำของแรงภายนอก การเปลี่ยนแปลงของค่าความต้านทานจะกลายเป็นสัญญาณทางไฟฟ้า สะพานวีทสโตนที่มีเอฟเฟกต์แรงดันนี้เป็นหัวใจของเซ็นเซอร์ความดัน ซึ่งมักเรียกว่าสะพานเพียโซรีซิสทีฟ (ดังแสดงในรูปที่ 1) ลักษณะของสะพาน piezoresistive มีดังนี้: 1 ค่าความต้านทานของแขนทั้งสี่ของสะพานเท่ากัน (r0 ทั้งหมด); 2 ผลพายโซเรสซิทีฟของแขนที่อยู่ติดกันของสะพานมีค่าเท่ากันและมีเครื่องหมายตรงกันข้าม 3. ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิความต้านทานของแขนทั้งสี่ของสะพานจะเท่ากัน และจะมีอุณหภูมิเท่ากันเสมอ ในรูป 1, R0 คือค่าความต้านทานที่ไม่มีความเครียดที่อุณหภูมิห้อง RT คือการเปลี่ยนแปลงที่เกิดจากค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความต้านทาน (α) เมื่ออุณหภูมิเปลี่ยนแปลง Υ Rδ คือการเปลี่ยนแปลงความต้านทานที่เกิดจากความเครียด (ε); แรงดันไฟขาออกของบริดจ์คือ u=I0 Δ Rδ=I0RGδ (บริดจ์แหล่งกำเนิดกระแสคงที่)

โดยที่ I0 คือกระแสแหล่งจ่ายกระแสคงที่และ e คือแรงดันแหล่งจ่ายแรงดันคงที่ แรงดันเอาต์พุตของบริดจ์พายโซรีซิสทีฟเป็นสัดส่วนโดยตรงกับความเครียด (ε) และไม่เกี่ยวข้องกับ RT ที่เกิดจากค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความต้านทาน ซึ่งช่วยลดการเบี่ยงเบนของอุณหภูมิของเซ็นเซอร์ได้อย่างมาก เซ็นเซอร์ความดันเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันอย่างแพร่หลายที่สุดคือเซ็นเซอร์สำหรับตรวจจับความดันของเหลว โครงสร้างหลักของมันคือแคปซูลที่ทำจากซิลิกอนโมโนคริสตัลไลน์ (ดังแสดงในรูปที่ 2) ไดอะแฟรมทำเป็นถ้วยและด้านล่างของถ้วยเป็นส่วนที่รับแรงภายนอกและสะพานแรงดันถูกสร้างขึ้นที่ด้านล่างของถ้วย ฐานวงแหวนทำจากวัสดุซิลิคอนซิงเกิลคริสตัลชนิดเดียวกัน จากนั้นไดอะแฟรมจะติดเข้ากับฐาน เซ็นเซอร์ความดันชนิดนี้มีข้อดีคือมีความไวสูง ปริมาณน้อย และความแข็งแกร่ง และมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในการบิน การนำทางในอวกาศ เครื่องมืออัตโนมัติ และเครื่องมือทางการแพทย์