เซ็นเซอร์ความดันเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันทั่วไปใช้เวเฟอร์ซิลิคอนชนิด N-type เป็นสารตั้งต้น ประการแรกเวเฟอร์ซิลิคอนถูกสร้างขึ้นเป็นส่วนที่มีความเครียดที่ยืดหยุ่นด้วยเรขาคณิตบางอย่าง ที่ส่วนที่มีความเครียดของเวเฟอร์ซิลิคอนตัวต้านทานการแพร่กระจายสี่ชนิดจะทำไปตามทิศทางคริสตัลที่แตกต่างกันจากนั้นสะพานวีตสโตนสี่แขนจะถูกสร้างขึ้นด้วยตัวต้านทานทั้งสี่นี้ ภายใต้การกระทำของแรงภายนอกการเปลี่ยนแปลงของค่าความต้านทานกลายเป็นสัญญาณไฟฟ้า สะพานข้าวสาลีที่มีเอฟเฟกต์ความดันเป็นหัวใจของเซ็นเซอร์ความดันซึ่งมักจะเรียกว่าสะพาน Piezoresistive (ดังแสดงในรูปที่ 1) ลักษณะของสะพาน piezoresistive มีดังนี้: ①ค่าความต้านทานของแขนทั้งสี่ของสะพานมีค่าเท่ากัน (ทั้งหมด R0); ②ผล piezoresistive ของแขนที่อยู่ติดกันของสะพานมีค่าเท่ากับค่าและตรงข้ามในเครื่องหมาย; ③ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิความต้านทานของแขนทั้งสี่ของสะพานเหมือนกันและพวกเขาจะอยู่ที่อุณหภูมิเดียวกันเสมอ ในรูปที่ 1, R0 เป็นค่าความต้านทานโดยไม่มีความเครียดที่อุณหภูมิห้อง RT คือการเปลี่ยนแปลงที่เกิดจากค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความต้านทาน (α) เมื่ออุณหภูมิเปลี่ยนแปลง υrΔคือการเปลี่ยนแปลงของความต้านทานที่เกิดจากความเครียด (ε); แรงดันเอาต์พุตของบริดจ์คือ u = i0 ΔrΔ = i0rgΔ (บริดจ์แหล่งกำเนิดกระแสคงที่)

โดยที่ I0 เป็นแหล่งกำเนิดกระแสไฟฟ้าคงที่และ E คือแรงดันไฟฟ้าของแรงดันไฟฟ้าคงที่ แรงดันเอาต์พุตของสะพาน piezoresistive นั้นเป็นสัดส่วนโดยตรงกับความเครียด (ε) และไม่มีส่วนเกี่ยวข้องกับ RT ที่เกิดจากค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความต้านทานซึ่งช่วยลดอุณหภูมิดริฟท์ของเซ็นเซอร์ได้อย่างมาก เซ็นเซอร์ความดันเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันอย่างแพร่หลายที่สุดคือเซ็นเซอร์สำหรับตรวจจับความดันของเหลว โครงสร้างหลักของมันคือแคปซูลที่ทำจากซิลิกอน monocrystalline (ดังแสดงในรูปที่ 2) ไดอะแฟรมถูกสร้างเป็นถ้วยและด้านล่างของถ้วยเป็นส่วนที่มีแรงภายนอกและสะพานความดันจะทำที่ด้านล่างของถ้วย แท่นแหวนทำจากวัสดุผลึกเดี่ยวซิลิกอนเดียวกันจากนั้นไดอะแฟรมจะถูกผูกมัดกับแท่น เซ็นเซอร์ความดันชนิดนี้มีข้อดีของความไวสูงปริมาณขนาดเล็กและความแข็งแกร่งและมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในการบินการนำทางอวกาศเครื่องมืออัตโนมัติและเครื่องมือทางการแพทย์